نمای کلی محصول
تجهیزات کندوپاش فیلم کربن ما یک سیستم اختصاصی است که برای قرار دادن لایههای محافظ فیلم کربن با دمای بالا-روی دستگاههای SiC ساخته شده است. از یک معماری خوشه ای استفاده می کند که می تواند با چندین محفظه فرآیند پیکربندی شود و با بارگیری و تخلیه ویفر خودکار ارائه می شود. با بکارگیری فناوری فیلم DLC ({3}}شبیه کربن) به طور موثری از گچ شدن سطح روی ویفرهای SiC در هنگام بازپخت{4}در دمای بالا جلوگیری میکند و حفاظت از سطح پایدار و قابل اعتماد را ارائه میدهد.
مزایا
طراحی خوشه از محفظههای فرآیندی متعدد پشتیبانی میکند و به مقیاس انعطافپذیر اجازه میدهد تا با اندازههای دستههای مختلف مطابقت داشته باشد و کارایی کلی تولید را افزایش دهد.
بارگیری و تخلیه خودکار مداخله دستی را کاهش می دهد، تکرارپذیری فرآیند را بهبود می بخشد و از پردازش دسته ای مداوم پشتیبانی می کند.
فرآیند فیلم DLC به طور موثر گچ سطح ویفر SiC را سرکوب می کند، کیفیت سطح را حفظ می کند و عملکرد و قابلیت اطمینان دستگاه را افزایش می دهد.
محفظه کندوپاش به خلاء نهایی کمتر یا مساوی 6E-5Pa میرسد، و یکنواختی ضخامت لایه در 5% ± کنترل میشود که از پوششهای ثابت و با کیفیت بالا اطمینان حاصل میشود.
سازگاری با ویفرهای 6 اینچی و 8 اینچی باعث می شود سیستم با خطوط مختلف تولید و نیازهای فرآیند سازگار باشد.
برنامه های کاربردی
این تجهیزات عمدتاً در تهیه لایههای محافظ فیلم کربنی برای دستگاههای SiC، بهویژه در طی{0}فرایندهای بازپخت در دمای بالا استفاده میشود. این ویفرهای SiC 6{4}}و 8{5}}اینچی را پشتیبانی میکند و آن را برای تحقیق و توسعه و تولید انبوه دستگاههای نیمهرسانای نسل سوم مانند دستگاههای قدرت SiC، دستگاههای RF و سایر قطعات الکترونیکی مبتنی بر SiC مناسب میسازد.
سوالات متداول
س: 1. تجهیزات کندوپاش فیلم کربن برای چه چیزی استفاده می شود؟
پاسخ: برای قرار دادن لایههای محافظ فیلم کربن با دمای بالا در دستگاههای SiC، بهویژه در هنگام بازپخت-در دمای بالا برای جلوگیری از گچشدن سطح استفاده میشود.
س: 2. مزایای اصلی این تجهیزات چیست؟
A: دارای طراحی خوشه، بارگیری/تخلیه خودکار، فناوری فیلم DLC، عملکرد خلاء بالا و یکنواختی ضخامت خوب است.
س: 3. چه اندازه های ویفر را پشتیبانی می کند؟
پاسخ: این تجهیزات از ویفرهای SiC 6 اینچی و 8 اینچی برای ساخت نیمه هادی و تحقیق و توسعه پشتیبانی می کند.
س: 4. آیا می تواند از گچ شدن سطح ویفر SiC جلوگیری کند؟
پاسخ: بله، فرآیند فیلم DLC آن به طور موثری گچ را در هنگام بازپخت{0}در دمای بالا سرکوب میکند و از کیفیت ویفر محافظت میکند.
س: 5. فرآیند پوشش چقدر دقیق است؟
پاسخ: محفظه کندوپاش به کمتر یا مساوی با خلاء 6E-5Pa می رسد و یکنواختی ضخامت فیلم در 5±% کنترل می شود.
س: 6. آیا برای تولید انبوه مناسب است؟
پاسخ: بله، ساختار خوشهای و مدیریت خودکار آن را هم برای تحقیق و توسعه و هم برای تولید دستگاه SiC در مقیاس بزرگ- ایدهآل میسازد.
س: 7. این تجهیزات معمولاً در کجا استفاده می شود؟
پاسخ: به طور گسترده در نیمه هادی های نسل سوم برای دستگاه های قدرت SiC، دستگاه های RF و قطعات الکترونیکی مرتبط استفاده می شود.
تگ های محبوب: سیستم کندوپاش مگنترون کربن، تولید کنندگان سیستم کندوپاش مگنترون کربن چین، تامین کنندگان


