سیستم کندوپاش مغناطیسی کربن

سیستم کندوپاش مغناطیسی کربن

تجهیزات کندوپاش فیلم کربن ما یک سیستم اختصاصی است که برای قرار دادن لایه‌های محافظ فیلم کربن با دمای بالا-روی دستگاه‌های SiC ساخته شده است. از یک معماری خوشه ای استفاده می کند که می تواند با چندین محفظه فرآیند پیکربندی شود و با بارگیری و تخلیه ویفر خودکار ارائه می شود.
ارسال درخواست
شرح

نمای کلی محصول

 

تجهیزات کندوپاش فیلم کربن ما یک سیستم اختصاصی است که برای قرار دادن لایه‌های محافظ فیلم کربن با دمای بالا-روی دستگاه‌های SiC ساخته شده است. از یک معماری خوشه ای استفاده می کند که می تواند با چندین محفظه فرآیند پیکربندی شود و با بارگیری و تخلیه ویفر خودکار ارائه می شود. با بکارگیری فناوری فیلم DLC ({3}}شبیه کربن) به طور موثری از گچ شدن سطح روی ویفرهای SiC در هنگام بازپخت{4}در دمای بالا جلوگیری می‌کند و حفاظت از سطح پایدار و قابل اعتماد را ارائه می‌دهد.

 

مزایا

 

طراحی خوشه از محفظه‌های فرآیندی متعدد پشتیبانی می‌کند و به مقیاس انعطاف‌پذیر اجازه می‌دهد تا با اندازه‌های دسته‌های مختلف مطابقت داشته باشد و کارایی کلی تولید را افزایش دهد.

بارگیری و تخلیه خودکار مداخله دستی را کاهش می دهد، تکرارپذیری فرآیند را بهبود می بخشد و از پردازش دسته ای مداوم پشتیبانی می کند.

فرآیند فیلم DLC به طور موثر گچ سطح ویفر SiC را سرکوب می کند، کیفیت سطح را حفظ می کند و عملکرد و قابلیت اطمینان دستگاه را افزایش می دهد.

محفظه کندوپاش به خلاء نهایی کمتر یا مساوی 6E-5Pa می‌رسد، و یکنواختی ضخامت لایه در 5% ± کنترل می‌شود که از پوشش‌های ثابت و با کیفیت بالا اطمینان حاصل می‌شود.

سازگاری با ویفرهای 6 اینچی و 8 اینچی باعث می شود سیستم با خطوط مختلف تولید و نیازهای فرآیند سازگار باشد.

 

برنامه های کاربردی

 

این تجهیزات عمدتاً در تهیه لایه‌های محافظ فیلم کربنی برای دستگاه‌های SiC، به‌ویژه در طی{0}فرایندهای بازپخت در دمای بالا استفاده می‌شود. این ویفرهای SiC 6{4}}و 8{5}}اینچی را پشتیبانی می‌کند و آن را برای تحقیق و توسعه و تولید انبوه دستگاه‌های نیمه‌رسانای نسل سوم مانند دستگاه‌های قدرت SiC، دستگاه‌های RF و سایر قطعات الکترونیکی مبتنی بر SiC مناسب می‌سازد.

 

سوالات متداول

 

س: 1. تجهیزات کندوپاش فیلم کربن برای چه چیزی استفاده می شود؟

پاسخ: برای قرار دادن لایه‌های محافظ فیلم کربن با دمای بالا در دستگاه‌های SiC، به‌ویژه در هنگام بازپخت-در دمای بالا برای جلوگیری از گچ‌شدن سطح استفاده می‌شود.

س: 2. مزایای اصلی این تجهیزات چیست؟

A: دارای طراحی خوشه، بارگیری/تخلیه خودکار، فناوری فیلم DLC، عملکرد خلاء بالا و یکنواختی ضخامت خوب است.

س: 3. چه اندازه های ویفر را پشتیبانی می کند؟

پاسخ: این تجهیزات از ویفرهای SiC 6 اینچی و 8 اینچی برای ساخت نیمه هادی و تحقیق و توسعه پشتیبانی می کند.

س: 4. آیا می تواند از گچ شدن سطح ویفر SiC جلوگیری کند؟

پاسخ: بله، فرآیند فیلم DLC آن به طور موثری گچ را در هنگام بازپخت{0}در دمای بالا سرکوب می‌کند و از کیفیت ویفر محافظت می‌کند.

س: 5. فرآیند پوشش چقدر دقیق است؟

پاسخ: محفظه کندوپاش به کمتر یا مساوی با خلاء 6E-5Pa می رسد و یکنواختی ضخامت فیلم در 5±% کنترل می شود.

س: 6. آیا برای تولید انبوه مناسب است؟

پاسخ: بله، ساختار خوشه‌ای و مدیریت خودکار آن را هم برای تحقیق و توسعه و هم برای تولید دستگاه SiC در مقیاس بزرگ- ایده‌آل می‌سازد.

س: 7. این تجهیزات معمولاً در کجا استفاده می شود؟

پاسخ: به طور گسترده در نیمه هادی های نسل سوم برای دستگاه های قدرت SiC، دستگاه های RF و قطعات الکترونیکی مرتبط استفاده می شود.

 

 

 

 

 

تگ های محبوب: سیستم کندوپاش مگنترون کربن، تولید کنندگان سیستم کندوپاش مگنترون کربن چین، تامین کنندگان

ارسال درخواست