تجهیزات CVD

سری‌های{0}Tech CV600/CV700 Nice، دستگاه‌های MOCVD با حجم بالا-تولید-برای رشد همپایه نیمه هادی مرکب هستند که از فناوری چرخش دوگانه سیاره‌ای{5}}ماهواره اختصاصی برای تحقق رشد چند{{6}{ویفر- تک سطحی- تک سطحی استفاده می‌کنند.

تجهیزات Nice-تجهیزات MOCVD سری MC150/MC200/MC300 از مدل تزریق گاز سر دوش عمودی نزدیک-همراه با مزایای یکنواختی همپایی ذاتی از طریق-نازل‌های گاز منبع ناپایدار با چگالی بالا و فاصله تزریق کوچک قابل کنترل استفاده می‌کنند.

GaN{0}}MOCVD یک تجهیزات تخصصی رشد همپایی است که برای رسوب-گالیوم نیترید با کیفیت بالا (GaN) و لایه‌های نازک نیمه هادی مرکب مرتبط طراحی شده است.

تجهیزات ما برای رسوب دهی بخار شیمیایی آلی فلزی (MOCVD) یک ابزار اصلی تولید است که به رسوب-مواد همپایی با کیفیت بالا اختصاص داده شده است. این به طور حرفه ای برای تهیه آرسنید گالیم (GaAs)، فسفید ایندیم (InP)، نیترید گالیوم (GaN) و سایر...

Vertical LPCVD TEOS/Poly/SiN یک سیستم رسوب بخار شیمیایی کم فشار-برای تولید نیمه هادی است. برای قرار دادن لایه‌های نازک-Poly، TEOS، SiN و HTO با کیفیت بالا استفاده می‌شود.

نایس{0}}تکنیک سه مدل PECVD-Depomerits PE 100، PE 200، و PE 300 را عرضه کرده است و با هم ماتریس محصولی را تشکیل می‌دهند که همه سناریوهای کلیدی را پوشش می‌دهد: از تحقیقات آزمایشگاهی گرفته تا اجراهای دسته‌ای کوچک، تا تولید انبوه-.

سیستم CVD-تکنیک 8-اینچ ICP{3}}برای رسوب لایه نازک-روی ویفرهای 8-اینچی طراحی شده است. این پلاسمای با چگالی بالا از طریق جفت القایی (ICP) تولید می کند و بایاس را از طریق جفت خازنی (CCP) ایجاد می کند و رسوب در دمای پایین را امکان پذیر می کند.

LPCVD (ته‌نشینی بخار شیمیایی با فشار کم) یک فناوری فرآیند نیمه‌رسانای هسته‌ای است—در شرایط فشار کم، ترکیبات گازی را برای تحریک واکنش‌ها گرم می‌کند و لایه‌های نازک جامد پایدار را روی سطوح زیرلایه رسوب می‌کند. این عمدتاً برای ساخت...