Photoresist مخلوطی از پلیمرها و برخی از ترکیبات است که از جمله مهمترین آنها یک مولد اسید فوتو (PAG) است. هنگامی که فوتون ها به PAG برخورد می کنند، اسیدی تولید می شود که با پلیمر واکنش می دهد، آن را تجزیه می کند و باعث می شود که توسط سازنده حل شود.
فوتوریست های فتولیتوگرافی معمولا به دو نوع مقاوم نوری مثبت و فوتورزیست منفی تقسیم می شوند.
مقاوم در برابر نور مثبت: بخش در معرض دید در محلول توسعه دهنده محلول است، در حالی که بخش بدون نور در محلول توسعه دهنده نامحلول است. پس از توسعه، الگوی مقاومت نوری باقیمانده روی بستر همانند الگوی هدف روی صفحه ماسک است.
مقاومت نوری منفی: بخش در معرض دید در محلول توسعه دهنده نامحلول است، در حالی که بخش بدون نور در محلول توسعه دهنده محلول است. الگوی فوتوریست باقیمانده روی بستر پس از توسعه، مکمل الگوی هدف روی صفحه ماسک است.
بنابراین، برای مقاومت نوری مثبت، اچ کردن زیرلایه بدون محافظت از نور مقاوم پس از اتمام فوتولیتوگرافی، و در نهایت شستن فتورزیست باقیمانده، فرآیند ساخت یک-دستگاه های نیمه هادی روی سطح زیرلایه را به دست می آورد.
