تمیز کردن ویفر به فرآیند استفاده از روش های شیمیایی یا فیزیکی برای حذف آلاینده ها و اکسیدها از سطح ویفر در طول ساخت مدارهای مجتمع، به منظور برآوردن نیازهای تمیزی سطح ویفر اشاره دارد. اصل تمیز کردن ویفر حذف ناخالصی های مختلف بدون آسیب رساندن به ویفر است.
چهار مکانیسم اصلی برای حذف ذرات وجود دارد: انحلال، تجزیه اکسیداتیو، دافعه الکتریکی بین ذرات و سطوح ویفر سیلیکونی، و خوردگی جزئی سطوح ویفر سیلیکونی.
برای حذف ذرات فلز، معمولاً از محلول SC-2 یا محلول HPM برای کاهش محتوای فلز روی سطح ویفر استفاده می شود. محلول SC-2 تحت کریستالیزاسیون قرار می گیرد که ممکن است پس از تمیز کردن، تعداد ذرات روی سطح ویفر را افزایش دهد. بنابراین، می توان از HF به جای HCL استفاده کرد، یا O3 ترکیب شده با HF را می توان به جای محلول SC-2 برای حذف موثر ذرات فلز استفاده کرد.
برای آلاینده های آلی، محلول SPM یا فناوری تمیز کردن خشک UV/ازون معمولا برای حذف استفاده می شود.
پس از تمیز کردن مرطوب، ویفر باید کاملاً خشک شود تا اطمینان حاصل شود که هیچ اثر آب روی سطح قبل از ورود به فرآیند بعدی وجود ندارد. سه حالت رایج خشک کردن در حال حاضر موجود عبارتند از: خشک کردن چرخشی، خشک کردن مارانگونی و خشک کردن اتمیزه کردن ایزوپروپانول داغ.
