با پوشاندن سطح بستری مانند ویفر سیلیکونی با یک مقاوم به نور بسیار حساس، و سپس تابش سطح بستر با نور خاص (معمولاً نور ماوراء بنفش، نور فرابنفش عمیق، نور فرابنفش شدید) از طریق یک ماسک حاوی اطلاعات الگوی هدف، مقاومت نوری تابش شده توسط نور واکنش نشان می دهد. بنابراین، ناحیه تحت تابش پس از توسعه، اثرات متفاوتی از ناحیه تابیده نشده (بسته به خواص مقاوم نور) ایجاد می کند.
