نمای کلی محصول
کاشت یونی چند کاره{0}}راه حل سفارشی یک پلت فرم کاشت یون سفارشی-است. این تجهیزات با هدف قرار دادن مؤسسات تحقیقاتی، دانشگاه‌ها و خطوط تولید نیمه‌هادی‌های کوچک-گروهی ویژه-، از منابع یونی گازی و جامد پشتیبانی می‌کنند. محفظه هدف با حالت‌های کاشت در دمای بالا-و{7}}درجه حرارت پایین قابل تنظیم است. برای اصلاح مواد،-تحقیقات پیشرفته مواد،{10}}ساخت نیمه هادی خطی آزمایشی و{11}}کاشت نمونه ویژه برای زیرلایه های نامنظم کوچک- بسیار سازگار است. این پلتفرم از سخت‌افزار شخصی‌سازی‌شده و سفارشی‌سازی عملکرد مطابق{14}}نیازهای فرآیند خاص مشتری پشتیبانی می‌کند.
مزایا
معماری بسیار قابل تنظیم: پیکربندی انعطاف‌پذیر منبع یون، محفظه هدف، نگهدارنده ویفر و ماژول‌های خط{0}}برای مطابقت با الزامات فرآیند غیر استاندارد-. هر دو حالت کاشت در دمای بالا و برودتی برای اتاقک هدف در دسترس هستند.
سازگاری منبع یونی -حالت دوگانه-: از عملکرد منبع گازی و منبع جامد پشتیبانی می‌کند و طیف وسیعی از گونه‌های یون کاشت را برای علم مواد و تحقیق و توسعه نیمه‌رساناها پوشش می‌دهد.
سازگاری گسترده بستر: با ویفرهای استاندارد 4-/6 اینچی و همچنین قطعات کوچک نامنظم کار می‌کند و محدودیت‌های مربوط به فاکتور فرم نمونه را برای تحقیقات در مقیاس آزمایشگاهی حذف می‌کند.
ویفر وسیع-محدوده تنظیم دما: دمای فرآیند را از دمای اتاق تا 550 درجه پشتیبانی می‌کند، و محفظه هدف خنک‌کننده اختیاری را می‌توان در صورت درخواست برای آزمایش‌های مواد حساس به دما پیکربندی کرد.
کاربر{0}}پسند برای سناریوهای تحقیق و توسعه: راه‌اندازی دستور العمل ساده، اشکال‌زدایی خطی مناسب-پرتوی مناسب و دسته‌ای{2}}تزریق نمونه منعطف،-برای تحقیقات آکادمیک و تولید آزمایشی با حجم کم{4} مناسب است.
برنامه های کاربردی
تحقیق و تدریس آکادمیک: آزمایشگاه‌های دانشگاه، پژوهشگاه مواد-آزمایش‌های علمی
اصلاح مواد: اصلاح پرتوهای یونی فلزات، سرامیک، پلیمرها و مواد کاربردی جدید
تولید آزمایشی نیمه هادی ویژه: تولید آزمایشی دستگاه نیمه هادی کوچک-ترکیب دسته ای-
کاشت فرآیند ویژه سفارشی-برای نمونه‌های نامنظم اندازه کوچک-
پارامترها
|
مورد |
مشخصات |
|
ویفر / اندازه نمونه |
قطعات کوچک 6 اینچی، 4 اینچی یا نامنظم |
|
محدوده انرژی (تک شارژ) |
30-200 کو |
|
گونه ایمپلنت |
P، B، As، Fe، H، He و سایر یون های سفارشی |
|
دمای ویفر فرآیند |
RT-550 درجه؛ محفظه هدف خنک کننده در صورت تقاضا اختیاری است |
سوالات متداول
س: کاشت چند منظوره راه حل سفارشی عمدتاً برای چه مشتریانی است؟
A: برای دانشگاه ها، موسسات تحقیقاتی علمی و خطوط تولید آزمایشی نیمه هادی فرآیند ویژه در مقیاس کوچک متمرکز است. تمرکز آن بر تحقیق و توسعه و اجرای آزمایشی دسته‌ای کوچک است تا تولید انبوه فابریک‌های جریان اصلی IC.
س: آیا این دستگاه می تواند نمونه های کوچک نامنظم غیر استاندارد را پردازش کند؟
ج: بله. به غیر از ویفرهای استاندارد 4 اینچی و 6 اینچی، از نمونه های کوچک نامنظم پشتیبانی می کند. نگهدارنده های نمونه را می توان با توجه به ابعاد نمونه مشتری سفارشی کرد.
س: چه گزینه های دمایی در طول کاشت در دسترس هستند؟
A: پیکربندی استاندارد از کاشت RT 550 درجه در دمای بالا پشتیبانی می کند. یک محفظه هدف خنک کننده برای فرآیند دمای پایین می تواند به عنوان یک گزینه سفارشی اضافه شود.
س: تجهیزات از چه حالت های منبع یونی پشتیبانی می کند؟
A: با منبع یون گازی و منبع یون جامد سازگار است، B، P، As، Fe، H، He و سایر گونه های یونی را پوشش می دهد. گونه های یون اضافی را می توان از طریق اصلاح سفارشی متوجه شد.
س: آیا می تواند با سایر کاشت کننده های درجه تولید SEMICORE ZKX همکاری کند؟
ج: بله. این می تواند با جریان متوسط سری CIP، جریان بالا سری CIC، کاشت کننده های انرژی بالا CIE 8000 کار کند. پلت فرم سفارشی را می توان برای پیش تحقیقات و اکتشاف دستور العمل قبل از تولید انبوه در تجهیزات درجه تولید استفاده کرد.
س: چه خدماتی را می توان برای این پلت فرم سفارشی به دست آورد؟
پاسخ: SEMICORE ZKX سفارشی‌سازی طرح، نصب و راه‌اندازی تجهیزات، تامین قطعات یدکی، پشتیبانی فنی در محل، و خدمات اکتشاف فرآیند کمکی را برای پروژه‌های پژوهش محور ارائه می‌کند.
تگ های محبوب: ایمپلنت کننده یون sic، تولید کنندگان کاشت یون سیک چین، تامین کنندگان
