حداقل اندازه ویژگی
حداقل ابعاد بحرانی (CD):
حداقل اندازه ویژگی که به آن اندازه نیم گام نیز می گویند، یکی از مهم ترین پارامترها برای اندازه گیری عملکرد ماشین های لیتوگرافی است.
در میان آنها، ثابت است که در طرح های مختلف لیتوگرافی متفاوت است، که در آن λ طول موج منبع نور ورودی و NA دیافراگم عددی سیستم نوری دستگاه لیتوگرافی است. برای ثابت ها، در حال حاضر دستگاه لیتوگرافی DUV ASML در هلند می تواند حداکثر حدود 0.25 را به دست آورد، در حالی که EUV هنوز حدود 0.35 است. هر چه طول موج منبع نور ورودی کوچکتر باشد، فرآیند فوتولیتوگرافی واقعی کوچکتر می تواند انجام شود. برای دیافراگم عددی NA، حد بالایی این مقدار معمولاً 1.0 برای طرحهای DUV غیر مرطوب و حدود 1.35 برای طرحهای DUV مرطوب است. در مقایسه با لیتوگرافی غیر غوطهوری، دستگاههای لیتوگرافی غوطهوری از مایع اضافی برای شکست در طول لیتوگرافی استفاده میکنند، معمولاً از آب خالص با ضریب شکست حدود 1.33. به همین دلیل است که ماشینهای لیتوگرافی غوطهوری NA بزرگتری دارند.
دقت حکاکی
دقت پوشش: دقت تراز بین الگوهای ماسک و ویفر.
معنای اصلی به دقت هم ترازی الگوها بین دو فرآیند فوتولیتوگرافی اشاره دارد. اگر انحراف تراز خیلی زیاد باشد، مستقیماً بر بازده محصول تأثیر می گذارد.
تحمل مواجهه
عرض جغرافیایی نوردهی: عرض جغرافیایی که به عنوان حاشیه نوردهی نیز شناخته می شود، یکی از پارامترهای مهم پنجره فرآیند است. سیستمهای نوردهی نوری میتوانند محدوده انرژی نوردهی را تشکیل دهند که الزامات طرحبندی طراحی را برآورده میکند. معمولاً با محدوده انتخاب انرژی نوردهی در ± 10٪ از تغییر در مقدار CD شناسایی شده توسط نتیجه نوردهی تعریف می شود. اگر عرض خط الگوی نوردهی نسبتاً کمی تغییر کند هنگامی که مقاومت نوری از دوز نوردهی بهینه منحرف میشود، نشاندهنده آن است که مقاومت نوری تحمل نوردهی زیادی دارد. هرچه تحمل نوردهی بیشتر باشد، تحمل توسعه بیشتر است.
تحمل نوردهی و کنتراست تصویر پراکنده ارتباط نزدیکی با هم دارند. اگر اندازه ویژگی تصویر ارائه شده کنتراست تصویر ضعیفی داشته باشد، نسبت به تغییرات دوز بسیار حساس خواهد بود

