نحوه انتخاب دستگاه لیتوگرافی بدون ماسک بر اساس سی دی و نیازهای خط/فضا

خلاصه اجرایی

انتخاب یک سیستم لیتوگرافی بدون ماسک (-نوشتن مستقیم) یکی از استراتژیک ترین تصمیمات برای یک اتاق تمیز پیشرفته است. در حالی که فناوری بدون ماسک هزینه های خرید ماسک عکس فیزیکی را حذف می کند (هزاران دلار در هر بازبینی صرفه جویی می کند) و چرخه های چرخش طراحی را از هفته ها به دقیقه کاهش می دهد، انتخاب تجهیزات اغلب از سوء تفاهم اساسی از مشخصات فنی رنج می برد.

مهندسان فرآیند و تیم‌های تدارکات اغلب ماشین‌ها را تنها بر اساس یک عدد «حداقل اندازه ویژگی» در برگه اطلاعات فروشنده ارزیابی می‌کنند. با این حال، در فیزیک فوتولیتوگرافی، یک بعد بحرانی جدا شده (CD) و یک گام تناوبی حداقل خط/فضای متراکم (L/S) رژیم‌های نوری کاملاً متمایز را نشان می‌دهند:

• Critical Dimension (CD) باریک ترین ویژگی ایزوله شده (مانند یک گیت ترانزیستور ایزوله یا نوار تماس) را که سیستم نوری می تواند بر روی مقاوم نوری قرار دهد، تعریف می کند.

• Minimum Line/Space (L/S) کوچکترین آرایه تناوبی خط و ترانشه 1:1 تکرار شونده (مانند گریتینگ های نوری متراکم یا گذرگاه های اتصال متقابل با چگالی بالا) را که سیستم می تواند بدون پل زدن، ریزش یا اعوجاج مجاورت پاک کند، تعریف می کند.

ماشینی که قادر به چاپ سی دی ایزوله 0.4 میکرومتر است ممکن است به حداقل خط/فضای 0.8 میکرومتری هنگام الگوبرداری از آرایه های تناوبی متراکم به دلیل اثرات مجاورت نوری تصویر هوایی، همپوشانی پرتو-و آستانه های کنتراست نیاز داشته باشد. برعکس، سیستم های نوری تخصصی مهندسی شده برای مدولاسیون متقارن 1:1 می توانند 0.5 میکرومتر CD را به طور همزمان با خط/فضای 0.5 میکرومتر حل کنند.

این راهنما یک چارچوب مهندسی دقیق برای ارزیابی سیستم‌های لیتوگرافی بدون ماسک (MLM 100، MLM 200، MLM 400 و MLM 500) Nice{0}Tech در برابر هندسه دقیق دستگاه، مقاومت در برابر شیمی، عمق فوکوس (DOF) و نیازهای خروجی اتاق تمیز ارائه می‌کند.

1. مقدمه: چرا هندسه انتخاب تجهیزات را تعیین می کند

در اتاق‌های تمیز ریزساخت، سیستم‌های لیتوگرافی بدون ماسک (همچنین به‌عنوان لیتوگرافی نوشتاری مستقیم، سیستم‌های نمایش دستگاه میکروآینه دیجیتال [DMD] یا سیستم‌های تعدیل‌کننده نور فضایی [SLM] نیز شناخته می‌شوند) نمونه‌سازی سریع، ساخت نیمه‌رسانای مرکب، و مانوفکت با حجم کم{-به-متوسط ​​را تغییر داده‌اند. با حذف کروم فیزیکی-روی-ماسک‌های عکس کوارتز، تیم‌های مهندسی می‌توانند طرح‌بندی‌های طراحی (فایل‌های GDSII یا OASIS) را در زمان واقعی تکرار کنند.

با این حال، انتخاب ماشین مناسب نیاز به بررسی ادعاهای بازاریابی سطح{0}سطح گذشته دارد. هنگامی که خریداران بالقوه در مورد قابلیت های تجهیزات پرس و جو می کنند، رایج ترین سؤال به سادگی این است: "رزولوشن این دستگاه چیست؟"

در لیتوگرافی تولیدی، «رزولوشن» یک عدد واحد نیست. یک موتور نوری هنگام نمایش یک خط منفرد در مقایسه با افشای صدها خط موازی مجاور که میکرومتر از هم فاصله دارند، رفتار متفاوتی دارد. انتخاب یک پیکربندی تجهیزات بر اساس CD ایزوله زمانی که دستگاه شما به خطوط توری متراکم نیاز دارد، ناگزیر منجر به خرابی فرآیند می‌شود{2}}که منجر به پل زدن خط، مقاومت در برابر پایه‌ها یا نسبت ابعاد فرو ریخته می‌شود. برعکس، بیش از-تعیین یک سیستم برای خطوط فرعی متراکم-نیم-میکرون زمانی که دستگاه شما فقط دارای ردیابی مسیریابی 1.5 میکرومتر است، هزینه سرمایه غیرضروری را اضافه می‌کند و توان عملیاتی ویفر را به شدت کاهش می‌دهد.

برای سرمایه گذاری آگاهانه B2B، خریداران باید تمایزات فیزیکی بین CD و خط/فضا را تشریح کنند، آنها را مستقیماً با مشخصات تجهیزات فروشنده ترسیم کنند، و مبادلات نوری زیربنایی- را ارزیابی کنند.

2. تمایز اساسی: CD ایزوله شده در مقابل. خط/فضای متراکم

درک اینکه چرا ابزارهای نوشتاری مستقیم{0} نوری مقادیر متفاوتی را برای CD جدا شده و خط/فضای متراکم گزارش می‌کنند، نیازمند بررسی فیزیک شکل‌گیری تصویر هوایی، جلوه‌های مجاورت نوری، و شیمی مقاوم به نور است.

2.1 بعد بحرانی (CD) چیست؟

در مترولوژی نیمه هادی، بعد بحرانی به حساس ترین عنصر هندسی ابعادی در یک مدار مجتمع یا دستگاه MEMS اشاره دارد. به طور معمول، CD به یک ویژگی مجزا اشاره دارد:

• یک انگشت دروازه ایزوله روی یک ترانزیستور با قابلیت تحرک بالا-الکترون{{1} گالیوم نیترید (GaN).

• یک برجستگی موجبر نوری ایزوله در یک مدار فوتونیک یکپارچه.

• یک دهانه کنتاکت ایزوله یا لولای کنسول در حسگر MEMS.

هنگامی که یک خط جدا شده را در یک سیستم بدون ماسک در معرض دید قرار می دهد، موتور نوری انرژی نوردهی را بر روی یک نوار باریک از مقاومت نوری متمرکز می کند. از آنجایی که هیچ الگوی در معرض مجاوری در مجاورت وجود ندارد، نور پراکنده سرگردان (لوب های طرف پراش-) به طور بی ضرری در میدان تاریک پخش می شود. با کالیبره کردن دقیق دوز نوردهی، دیافراگم عددی و زمان توسعه، یک سیستم{3}}نوشتن مستقیم مدرن می‌تواند به مقادیر قابل‌توجهی جدا شده CD{4}}که اغلب تا 0.4 میکرومتر می‌رسد، دست یابد.

2.2 حداقل خط/فضا (L/S) چیست؟

در مقابل، حداقل خط/فضا به آرایه متراکمی از خطوط و فضاهای متناوب اشاره دارد که معمولاً در نسبت گام 1:1 (عرض خط برابر و شکاف ترانشه) پیکربندی می‌شوند:

• توری های پراش نوری، کریستال های فوتونی، و آینه های لیزری بازخورد توزیع شده (DFB).

• حسگرهای زیستی و آرایه‌های میکروالکترودی (MEA) با تراکم بالا-.

• مسیر متالیزاسیون متراکم و مسیریابی اتوبوس در بسته بندی های پیشرفته.

هنگامی که یک موتور نوری چندین پرتو با فاصله نزدیک یا پیکسل های ریز آینه مدوله شده را پخش می کند، امواج نور از خطوط مجاور به دلیل پراش نوری با هم همپوشانی دارند. این تداخل نوری یک «شدت پس‌زمینه» بالا در داخل ترانشه بین خطوط ایجاد می‌کند.

کنتراست نوری تصویر هوایی توسط تابع انتقال مدولاسیون (MTF) تعریف می شود:

کنتراست=(I_max - I_min) / (I_max + I_min)

با سفت شدن گام، I_min (شدت در فضای تاریک) به دلیل اثرات مجاورت نوری به طور قابل توجهی از صفر بالاتر می رود. اگر کنتراست تصویر هوایی به زیر آستانه کنتراست شیمیایی فوتورزیست کاهش یابد، فتورزیست نمی تواند بین خط نوردهی و ترانشه بدون نور تمایز قائل شود. این باعث ایجاد نقص کلاسیک اتاق تمیز می شود:

• Resist Bridging: توسعه ناقص که در آن خطوط مجاور با هم ادغام می شوند.

• Resist Scumming: تفاله مقاوم به نور باقیمانده در کف ترانشه.

• فروپاشی الگو: خرابی مکانیکی خطوط مقاومت نسبتاً متراکم-در طول خشک شدن با حلال.

2.3 چرا MLM 200 به 0.4 میکرومتر CD اما 0.8 میکرومتر خط/فضا می‌رسد؟

نمونه بارز این تجارت فیزیکی-در مدل MLM 200 نایس{1}}تکنیک دیده می‌شود:

• ابعاد بحرانی (ایزوله): 0.4 میکرومتر

• حداقل خط/فضا (متراکم 1:1): 0.8 میکرومتر

این نمایه پارامتر در لیتوگرافی-مستقیم نوشتن{1}}با دقت بالا رایج است. MLM 200 از یک موتور تحویل نوری متمرکز استفاده می‌کند که می‌تواند ویژگی‌های ایزوله فوق‌العاده-تا 0.4 میکرومتر را بنویسد. با این حال، هنگام قرار دادن خطوط در کنار هم در یک شبکه متراکم 1:1، سرریز مجاورت نوری حداقل فاصله 0.8 میکرومتر را برای اطمینان از کنتراست نوری کافی (I_max در مقابل I_min) برای پاکسازی کامل ترانشه بدون پل زدن الزامی می‌کند.

MLM 200 برای توسعه دهندگان دستگاه های قدرت RF که از گیت های GaN HEMT 0.4 میکرومتری با فاصله تخلیه گسترده منبع-الگو می کنند (2 میکرومتر تا 5 میکرومتر) است. با این حال، اگر همان توسعه‌دهنده تلاش کند یک گریتینگ متراکم 0.4 میکرومتر / 0.4 میکرومتر (0.8 میکرومتر گام کامل) چاپ کند، کنتراست نوری کاهش می‌یابد و منجر به مقاومت در برابر پل زدن می‌شود، مگر اینکه یک سیستم نوری به طور خاص برای آرایه‌های متراکم 1:1 بهینه‌سازی شده باشد.

2.4 چرا MLM 500 به CD 0.5 میکرومتر و خط/فضای 0.5 میکرومتر متقارن می رسد؟

در مقابل، ویژگی‌های MLM 500 Nice{0}Tech:

• ابعاد بحرانی (ایزوله): 0.5 میکرومتر

• حداقل خط/فضا (متراکم 1:1): 0.5 میکرومتر

MLM 500 دارای یک سیستم نمایش دیافراگم بالا-عددی- (بالا-NA) همراه با مدولاسیون نور فضایی پیشرفته و جبران لبه زیر{4}}پیکسلی است. این پیکربندی نوری کنتراست MTF بالایی را حتی در فرکانس‌های نوری ضعیف حفظ می‌کند، و اجازه می‌دهد شدت نور به شدت در مناطق تاریک کاهش یابد. در نتیجه، خطوط و فضاهای متراکم 1:1 را می توان به طور متقارن تا 0.5 میکرومتر بدون بریدگی یا پل زدن حل کرد.

3. ماتریس انتخاب فنی: NICE{1}}تکنیک لیتوگرافی بدون ماسک

نایس{0}}تک چهار مدل لیتوگرافی بدون ماسک اختصاصی تولید می‌کند که هر کدام برای حوزه‌های تولیدی خاص و پروفایل‌های هندسی مهندسی شده‌اند. جدول زیر مشخصات فنی رسمی را نشان می دهد:

=================================================================================================================

سی دی مدل (ایزوله) حداقل خط/فضا (1:1) فوکوس اتاق تمیز دامنه نوری اولیه

=================================================================================================================

MLM 100             0.8 میکرومتر 1.0 میکرومتر متوازن بالا- DOF Direct Write General R&D، MEMS، Microfluidics

MLM 200             0.4 میکرومتر 0.8 میکرومتر Fine-Spot Sub-Micron Delivery GaN/GaAs RF، Power HEMT، Waveguides

MLM 400             1.0μm 2.0 میکرومتر عرض-میدان بالا-مقاومت ضخیم موتور، بسته‌بندی RDL، آی‌سی برق

MLM 500             0.5 میکرومتر 0.5 میکرومتر بالا-شبکه‌های نوری متراکم با کنتراست متقارن NA، MEA، کریستال‌ها

=================================================================================================================

3.1 Nice-Tech MLM 100: The Cleanroom Workhorse (CD: 0.8 میکرومتر|L/S: 1.0 میکرومتر)

MLM 100 به عنوان ستون فقرات همه کاره برای مراکز نانوساخت دانشگاه چند کاربره، آزمایشگاه‌های تحقیق و توسعه صنعتی، و امکانات نمونه اولیه MEMS طراحی شده است.

• نمایه هندسی: به طور قابل اعتماد ویژگی های جدا شده را تا 0.8 میکرومتر و خطوط تناوبی متراکم را تا 1.0 میکرومتر حل می کند.

• ویژگی های نوری: با دیافراگم عددی نوری بهینه سازی شده برای عرض جغرافیایی گسترده عمل می کند. این یک عمق فوکوس سخاوتمندانه را ارائه می دهد (DOF معمولاً > 5 میکرومتر تا 10 میکرومتر بسته به ضخامت مقاومت) و باعث می شود توپوگرافی سطح زیرلایه و کمان ویفری کمی قابل قبول باشد.

• سازگاری با فرآیند: سازگار با مقاوم‌های نوری استاندارد i-line / h-لاین نوولاک مثبت (مانند AZ 1500، AZ 4562، سری Shipley S1800) و مقاومت‌های منفی (SU-8، KMPR).

• کاربردهای معمولی: کانال‌های جریان میکروسیال، ریزتراشه‌های زیست پزشکی، شتاب‌سنج‌های کنسولی، تشدیدکننده‌های صوتی، و ساختارهای تست سطح استاندارد ویفر-.

• توصیه تدارکات: اگر اتاق تمیز شما پروژه‌های متنوعی را انجام می‌دهد، ضخامت‌های مقاوم متوسط ​​(1.5 میکرومتر تا 5 میکرومتر) را پردازش می‌کند و به اندازه‌های زیر{3}}نیم-میکرون نیاز ندارد، MLM 100 را انتخاب کنید.

3.2 Nice-Tech MLM 200: Precision for Sub-Devices Micron (CD: 0.4 μm|L/S: 0.8 μm)

MLM 200 برای اتاق‌های تمیزی ساخته شده است که دستگاه‌های الکترونیکی نوری با فرکانس بالا، نیمه‌رساناهای مرکب و دقیق را تولید می‌کنند که در آنها ویژگی‌های ایزوله زیر{3}}میکرون بسیار مهم است.

• نمایه هندسی: به ابعاد بحرانی 0.4 میکرومتر برای خطوط جدا شده، دروازه ها و نوارهای تماس، با قابلیت خط/فضای متراکم در 0.8 میکرومتر دست می یابد.

• ویژگی‌های نوری: از پرتوهای تخصصی{0} برای شکل‌دهی اپتیک و کنترل دقیق دوز نوردهی برای تشدید کنتراست لبه در ساختارهای جدا شده استفاده می‌کند.

• سازگاری با فرآیند: به طور استثنایی با نور مقاوم‌کننده‌های نازک-با کنتراست بالا (ضخامت ۰٫۵ میکرومتر تا ۱٫۲ میکرومتر) مانند AZ 6112، AZ 703 یا SPR 700 عمل می‌کند. نسبت به MLM 100 به کنترل فوکوس دقیق‌تری نیاز دارد.

• کاربردهای معمولی: الگودهی T{0}Gate و Mushroom gate برای دستگاه‌های HEMT نیترید گالیوم (GaN) و آرسنید گالیم (GaAs)، آشکارسازهای نوری با سرعت بالا، مسیریابی موجبر نوری، و ساختارهای فلزی زیر{{{3} ایزوله شده میکرونی.

• توصیه تدارکات: اگر فرآیند شما نیاز به الگوبرداری از گیت ها یا خطوط ایزوله بحرانی بین 0.4 میکرومتر تا 0.8 میکرومتر بدون نیاز به آرایه های تناوبی متراکم زیر 0.8 میکرومتر دارد، MLM 200 را انتخاب کنید.

3.3 Nice-Tech MLM 400: High-Throughput & Thick-Resist Processing (CD: 1.0 μm|L/S: 2.0 μm)

MLM 400 برای امکاناتی طراحی شده است که بازده نوردهی، پردازش منطقه بزرگ-و سازگاری با فوتورمقاومت‌کننده‌های-بسیار ضخیم را در اولویت قرار می‌دهند.

• نمایه هندسی: برای CD جدا شده 1.0 میکرومتر و حداقل خط/فضای 2.0 میکرومتر پیکربندی شده است.

• ویژگی های نوری: از یک میدان نمایش نوری بزرگتر و یک قطار نوری{0}}عمق--بزرگتر استفاده می کند. DOF توسعه یافته (اغلب بیش از 20 میکرومتر تا 50 میکرومتر در مقاومت‌های ضخیم) تضمین می‌کند که نور به عمق لایه‌های ضخیم نفوذ می‌کند بدون اینکه زوایای دیواره‌های جانبی تخریب شود.

• مزیت توان عملیاتی: از آنجایی که هر فریم نوری ناحیه نوردهی وسیع تری را پوشش می دهد، زمان نوشتن ویفر به طور قابل ملاحظه ای سریعتر از ابزارهای وضوح- خوب است. قرار دادن یک ویفر کامل 100 میلی‌متری یا 150 میلی‌متری در MLM 400 را می‌توان در کسری از زمان مورد نیاز سیستم‌های زیر{5} میکرونی تکمیل کرد.

• سازگاری با فرآیند: ایده‌آل برای مقاوم‌کننده‌های نوری فیلم ضخیم (10 میکرومتر تا 100 میکرومتر SU-8، AZ 4562، AZ 9260، پلی‌مید، BCB).

• کاربردهای معمول: لایه‌های توزیع مجدد بسته‌بندی پیشرفته (RDL)، بسته‌بندی ویفر{0}}در مقیاس تراشه (WLCSP)، شین‌های نیمه‌رسانا با جریان بالا، قالب‌های اصلی میکروسیال، قالب‌های آبکاری ضخیم، و MEMS ریزماشین‌شده حجیم.

• توصیه تدارکات: اگر ویژگی‌های شما بزرگتر یا مساوی 1.0 میکرومتر است، فرآیند شما از پوشش‌های مقاوم ضخیم استفاده می‌کند یا توان عملیاتی ویفر بالا اولویت تجاری شماست، MLM 400 را انتخاب کنید.

3.4 Nice-Tech MLM 500: متقارن بالا-رزولوشن چگالی (CD: 0.5 میکرومتر|L/S: 0.5 میکرومتر)

MLM 500 سیستم پرچمدار Nice{1}}تک برای ساخت حسگرهای تناوبی میکرو- نوری، فوتونیک و متراکم است.

• نمایه هندسی: سی دی ایزوله شده 0.5 میکرومتری را در کنار خط/فضای 1:1 متراکم 0.5 میکرومتر (1.0 میکرومتر زمین توری کامل) ارائه می دهد.

• ویژگی‌های نوری: اپتیک‌های پرتاب‌شونده{0}NA بالا را با مدولاسیون میکروآینه دیجیتال پیشرفته و درون‌یابی لبه پیکسلی زیر- ترکیب می‌کند. این سیستم لوب های طرف پراش-را سرکوب می کند و از تجمع نور سرگردان در ترانشه های باریک جلوگیری می کند.

• سازگاری با فرآیند: به کنترل دقیق دمای اتاق تمیز (±0.5 درجه) و مقاومت های نازک{1}در برابر کنتراست بالا (0.3 میکرومتر تا 0.8 میکرومتر) نیاز دارد.

• کاربردهای معمولی: شبکه‌های پراش زیر{0} میکرونی، فرامواد نوری، موجبرهای کریستال فوتونی، مبدل‌های موج آکوستیک سطح متراکم (SAW)، حسگرهای زیستی درهم، و آرایه‌های میکروالکترود (MEA).

• توصیه تدارکات: اگر معماری دستگاه شما به شدت به ساختارهای تناوبی متراکم و فشرده در مقیاس نیم-میکرون وابسته است، MLM 500 را انتخاب کنید.

4. بازرگانی مهندسی مشتق شده-آخر: سرعت، DOF، و تراز

هنگام انتخاب بین MLM 100، 200، 400 و 500، مهندسان باید سه پارامتر ثانویه مهم را نیز در نظر بگیرند که مستقیماً بر عملیات اتاق تمیز روزانه تأثیر می گذارد:

4.1 سرعت نوردهی (درآمد) در مقابل وضوح

در هر ابزار لیتوگرافی{0}نوشتن مستقیم، یک تجارت فیزیکی اساسی- بین سرعت نوردهی و وضوح نوری وجود دارد:

• وضوح خوب (مانند MLM 200 و MLM 500) به اندازه پیکسل پیش بینی شده کمتر و بزرگنمایی بیشتر نیاز دارد، به این معنی که میلی متر مربع کمتری از ویفر در هر ثانیه برای یک منبع نور معین در معرض دید قرار می گیرد.

• رزولوشن آرام (مانند MLM 400) از پیکسل‌های بزرگ‌تر استفاده می‌کند، مناطق نوردهی بزرگ‌تری را در هر فلاش دیجیتال پوشش می‌دهد و توان عملیاتی ویفر را به‌طور چشمگیری افزایش می‌دهد.

قانون سرانگشتی: هرگز وضوحی بیشتر از نیاز معماری دستگاه خود را خریداری نکنید. اگر محکم‌ترین خط فلزی شما 2.5 میکرومتر است، انتخاب یک ابزار 0.4 میکرومتر به‌طور غیرضروری زمان نوردهی را از دقیقه به ساعت در هر ویفر افزایش می‌دهد.

4.2 عمق تمرکز (DOF) و مقاومت در برابر ضخامت

معادله عمق فوکوس ریلی بر تمام سیستم های طرح ریزی حاکم است:

DOF=k2 × λ ​​/ (NA)²

توجه داشته باشید که DOF با مربع دیافراگم عددی کاهش می یابد. یک لنز-NA بالا که برای وضوح زیر-نیم-میکرون لازم است، عمق فوکوس باریکی (اغلب کمتر از 1.5 میکرومتر) ایجاد می‌کند. اگر مهندس بخواهد یک مقاومت SU{8}}8 با ضخامت 15 میکرومتر را بر روی یک ابزار با NA بالا بچرخاند، ممکن است قسمت بالایی مقاومت در فوکوس باشد در حالی که قسمت پایین به شدت تار می‌شود و دیواره‌های جانبی زیر برش یا شیب‌دار ایجاد می‌کند.

• For thick resists (>10 میکرومتر): MLM 400 عمق فوکوس لازم را فراهم می کند.

• برای مقاومت های استاندارد (1.5 میکرومتر تا 5 میکرومتر): MLM 100 تعادل بهینه وضوح و DOF را فراهم می کند.

• برای مقاومت های فوق{0} نازک (< 1.0 μm): The MLM 200 and MLM 500 excel at fine line delineation.

4.3 لایه-به-تراز لایه و دقت همپوشانی

ابزار لیتوگرافی به ندرت به صورت مجزا عمل می کند. این لایه ها را روی ساختارهای قبلاً اچ شده یا متالایزه شده الگوبرداری می کند.

• تراز اپتیکال سمت بالا: همه مدل‌های MLM{0}Tech Nice دارای دوربین‌های-ماشین با وضوح بالا-با قابلیت تشخیص خودکار علامت‌ها هستند و به دقت لایه{3}}به{4}لایه معمولاً در محدوده ±0.5 میکرومتر تا 2±0.5 میکرومتر می‌رسند.

• تراز پشتی: برای MEMS از طریق-حفره‌های ویفر، حسگرهای فشار و راه‌های دستگاه برق ضروری است. اگر فرآیند شما نیاز به ثبت نام دوطرفه دارد، در مورد پیکربندی‌های دوربین نوری پایین-انتقال مادون قرمز (IR) پرس و جو کنید.

4.4 تطبیق پذیری بستر و مزایای بدون ماسک

برخلاف ترازهای تماسی سفت و سخت یا پله‌های کاهشی که نیاز به بسترهای مسطح و استاندارد دارند، سیستم‌های بدون ماسک نایس{1}}تکنولوژی سازگاری زیرلایه را فراهم می‌کنند:

• اندازه بستر: ویفرهای کامل (2 اینچ، 4 اینچ، 6 اینچ، 8 اینچ، و 12 اینچ) و همچنین قطعات قالب شکافده شده نامنظم (تا 5 میلی متر × 5 میلی متر).

• مواد بستر: سیلیکون استاندارد، سیلیس ذوب شده شفاف، کوارتز، شیشه، نیترید گالیم (GaN)، کاربید سیلیکون (SiC)، آرسنید گالیم (GaAs)، نیوبات لیتیوم، و بسترهای پلیمری انعطاف پذیر.

• فوکوس خودکار پویا: ردیابی سطح نوری در زمان واقعی به طور خودکار خطای قوس و گوه زیرلایه را جبران می‌کند و از فوکوس ثابت روی ویفرهای نیمه هادی مرکب تاب خورده اطمینان حاصل می‌کند.

5. تست ویفر نمونه و راستی‌آزمایی اندازه‌شناسی SEM

قبل از نهایی کردن خرید تجهیزات سرمایه ای، خریداران فنی هرگز نباید صرفاً به برگه های مشخصات منتشر شده اتکا کنند. شرایط اتاق تمیز، مقاومت در برابر فرمولاسیون، و شیمی توسعه دهنده بین امکانات بسیار متفاوت است.

Nice{0}}تکنولوژی قویاً مشتریان بالقوه را تشویق می‌کند تا قبل از صدور سفارش خرید، نمونه آزمایش قرار گرفتن در معرض ویفر را انجام دهند. پروتکل تأیید باید پنج پارامتر اندازه‌شناسی اصلی را با استفاده از میکروسکوپ الکترونی روبشی (SEM) ارزیابی کند:

1. یکنواختی ابعاد بحرانی (CDU 3σ): CD هدف را در حداقل 20 نقطه در سرتاسر ویفر (مرکز، وسط، لبه) اندازه گیری کنید تا اطمینان حاصل کنید که واریانس ابعادی در 5±٪ است.

2. فاصله متراکم خط/فضا: از طریق-SEM مقطعی بررسی کنید که ترانشه‌های متراکم 1:1 عاری از ریزش،-پل زدن{5}}یا پایه موج ایستاده باشند.

3. زاویه دیواره جانبی: تأیید کنید که نمایه‌های دیواره جانبی مقاوم در برابر نور از 85 درجه فراتر می‌رود (یا با نیاز فرآیند شما مطابقت دارد، مانند نمایه‌های زیر برش رتروگراد برای بلند کردن-خاموش).

4. ناهمواری لبه خط (LER) و ناهمواری عرض خط (LWR): تصاویر SEM با بزرگنمایی بالا-را بررسی کنید تا لبه های خط صاف را تأیید کنید، که برای از دست دادن موجبر فوتونیک و عملکرد دروازه RF بسیار مهم است.

5. دقت پوشش: یک مقیاس ورنیه آزمایشی را روی یک لایه تراز از قبل موجود برای تأیید تکرارپذیری ثبت در کل سطح زیرلایه الگو کنید.

6. فهرست چک پیش{1} تدارکات: قبل از درخواست قیمت چه چیزهایی باید آماده شود

برای دریافت یک نقل قول و پیکربندی تجهیزات دقیق و متناسب از{0}تیم های مهندسی فناوری، تدارکات و فرآیند Nice باید چک لیست فنی زیر را تهیه کنند:

[ 1 ] . مشخصات زیرلایه هدف:

• مواد: سیلیکون، کوارتز، یاقوت کبود، GaN، SiC، شیشه، یا موارد دیگر.

• فرمت: قطر ویفر (به عنوان مثال، 4 اینچ، 6 اینچ، 8 اینچ) یا تراشه های شکاف کوچک (به عنوان مثال، 10 میلی متر × 10 میلی متر).

• وضعیت سطح: صیقلی، متالایز، شفاف یا کماندار (تعداد کمان را بر حسب میکرومتر مشخص کنید).

[ 2 ] . الزامات هندسه ویژگی:

• حداقل ابعاد بحرانی (خط جدا شده، دروازه یا سوراخ تماس).

• حداقل خط/فضا (نیاز به زمین آرایه متراکم).

• تحمل لایه بحرانی (به عنوان مثال، CD هدف ± 5%).

[ 3 ] . فرآیند مقاومت نوری:

• نوع مقاوم در برابر نور: زنگ مثبت، منفی یا دوگانه-.

• نام Photoresist: (به عنوان مثال، AZ 5214E، SU{3}}، Shipley S1813).

• ضخامت فیلم هدف: (به عنوان مثال، 0.8 میکرومتر، 2.5 میکرومتر، 25 میکرومتر).

[ 4 ] . الزامات تراز و لایه بندی:

• نوردهی تک لایه یا ثبت چند لایه.

• روش تراز: نوری یا مادون قرمز پشتی (IR).

• دقت پوشش هدف: (به عنوان مثال، < 0.5 میکرومتر).

[ 5 ] . توان عملیاتی و حجم تولید:

• حجم مورد انتظار ویفر: (به عنوان مثال، 5 ویفر در هفته برای تحقیق و توسعه در مقابل{3}} ویفر در روز برای تولید آزمایشی).

• نیاز به اتوماسیون: بارگذاری دستی زیرلایه یا کنترل نیمه خودکار کاست.

[ 6 ] . قالب داده های طرح بندی:

• فایل های طراحی استاندارد آماده: GDSII، OASIS، DXF، یا CIF.

7. نتیجه گیری و مراحل بعدی: شراکت با NICE{1}}TECH

انتخاب سیستم لیتوگرافی بدون ماسک مناسب نیاز به تعادل سی دی ایزوله، فاصله خط/فضای متراکم، عمق فوکوس، ضخامت مقاومت و سرعت تولید دارد.

• اگر اتاق تمیز شما به -سفر کار همه جانبه تحقیق و توسعه نیاز دارد، MLM 100 تطبیق پذیری و گستردگی فرآیند بی نظیری را ارائه می دهد.

• اگر تمرکز شما بر ویژگی‌های زیر{0}میکرون ایزوله برای RF و الکترونیک قدرت باشد، MLM 200 دقت CD 0.4 میکرومتری را ارائه می‌کند.

• اگر تاسيسات شما به مقاومت هاي ضخيم، بسته بندي پيشرفته، يا به حداکثر توان نياز دارد، MLM 400 استاندارد صنعت است.

• اگر برنامه های شما به آرایه های تناوبی 1:1 با متراکم 0.5 میکرومتر نیاز دارند، گریتینگ ها یا ساختارهای فوتونیک، MLM 500 برتری نوری متقارن را ارائه می دهد.

برای ارزیابی طرح‌های خود در{0}سیستم لیتوگرافی بدون ماسک فنی نایس آماده هستید؟

از صفحه محصول رسمی Nice{0}}تک بازدید کنید تا مشخصات دقیق دستگاه را بررسی کنید:

دستگاه لیتوگرافی بدون ماسک

با تیم مهندسی برنامه های کاربردی ارشد ما در dmjsemi.com تماس بگیرید تا الگوهای تست CAD/GDSII خود را برای قرار گرفتن در معرض ویفر نمونه رایگان و بازرسی اندازه شناسی SEM ارسال کنید. ما یک پیشنهاد تجهیزات را که به طور خاص برای نقشه راه فنی و بودجه ای اتاق تمیز شما طراحی شده است، پیکربندی می کنیم.

اکنون تماس بگیرید