نمای کلی محصول
این سری تجهیزات اختصاصی مسطح سازی برای ویفرهای 6{9}}8{10}}اینچی است. HP 200 یک مدل انحصاری برای ویفرهای 8 اینچی است و HP300/HP400 مدل های سازگار با 6/8 اینچ هستند. هر سه مدل معماری یکپارچه پرداخت، تمیز کردن و EFEM را ادغام می‌کنند و مجهز به یک سیستم کنترل فرآیند پیشرفته با دقت بالا هستند که تمام سناریوها از پرداخت مواد اولیه تا مسطح‌سازی ویژه نیمه‌رساناهای نسل سوم و بسته‌بندی پیشرفته را پوشش می‌دهد. حجم تجمعی ویفرهای فرآوری شده واجد شرایط بیش از 400 میلیون قطعه است.
مزایا
مزایای اصلی اصلی
1. برای بهبود کارایی پردازش و کاهش خطر آلودگی ویفر، یک معماری فرآیند یکپارچه از نوع خشک- "Dry in and dry out" را اتخاذ می کند.
2. مجهز به کنترل نقطه پایانی سه گانه جریان گردابی / لیزر / گشتاور موتور و سیستم های PTPC و PPC برای دستیابی به دقت پرداخت در مقیاس نانو.
3. انطباق کامل{1}}زنجیره بومی سازی شده، جایگزینی کامل تجهیزات وارداتی، با زنجیره تامین و پاسخگویی خدمات بیشتر مطابق با تقاضای بازار داخلی است.
4. سازگار با پدها و دوغاب های مختلف پولیش، و می تواند به سرعت پارامترهای فرآیند را برای انطباق با نیازهای پرداخت مواد و پیوندهای متعدد تنظیم کند.
مدل-مزایای خاص
HP 200: از معماری صفحه کلاسیک 4 پولیش + 3- که مخصوص تولید انبوه ویفر 8 اینچی طراحی شده است، استفاده می‌کند و با فرآیندهای مسطح‌سازی پیچیده کل جریان تولید آی‌سی مطابقت دارد.
HP 300: طراحی کنترلر یکپارچه فضای کف را تا حد زیادی کاهش می دهد، از کنترل دقیق دمای صفحه پشتیبانی می کند (<60℃), and adapts to the polishing needs of high-temperature sensitive third-generation semiconductors.
HP 400: مجهز به سیستم آب خنک کننده صفحه ای و ماژول انتقال اتوماتیک ویفر، با WIW&WTW < 5%. کنترل جریان CLC تنظیم پارامتر فرآیند را دقیق تر می کند و تجهیزات دارای درجه بالاتری از اتوماسیون هستند.
برنامه های کاربردی
1. ساخت مدار مجتمع: الزامات فرآیند STI، ILD، سیم کشی فلزی و سایر فرآیندها در تولید آی سی را برآورده می کند و برای پرداخت مواد اصلی مانند اکسیدها، سیلیکون، مس و تنگستن مناسب است.
2. پردازش نیمه هادی-نسل سوم: HP300/HP400 با نیازهای ویژه پردازش مسطح سازی موادی مانند SiC و GaN سازگار است.
3. فرآیند بسته بندی پیشرفته: سری کامل از مسطح سازی مواد بسته بندی پیشرفته مانند 2.5D/3D interposers و پلیمرها پشتیبانی می کند.
4. پردازش ویفر-در مقیاس بزرگ: می تواند فرآیندهای پولیش رایج مانند اکسید، مس، W، STI و پلی سیلیکون را اجرا کند و با خطوط تولید انبوه ویفر در مقیاس بزرگ- سازگار شود.
پارامترها
|
مشخصات |
HP 200 (انحصاری 8 اینچی) |
HP 300 (سازگار 6/8 اینچی) |
HP 400 (سازگار 6/8 اینچی) |
|
اندازه ویفر تطبیقی |
8 اینچ (200 میلی متر) |
6/8 اینچ (150/200 میلی متر) |
6/8 اینچ (150/200 میلی متر) |
|
معماری اصلی |
4 سر پولیش + 3 صفحه; معماری یکپارچه Polisher+Cleaner+EFEM |
4 سر پولیش + 3 صفحه; معماری یکپارچه Polisher+Cleaner+EFEM. کنترلر یکپارچه |
4سرهای پرداخت غشایی؛ 3 صفحه (با سیستم آب خنک کننده)؛ چرخش 270 درجه HS؛ حداکثر. 4خطوط دوغاب |
|
طراحی فرآیند اصلی |
"خشک کردن و خشک کردن" CMP |
"خشک کردن و خشک کردن" CMP؛ پایش دمای صفحه (<60℃) |
چرخاندن خودکار ویفر-(WR); مجهز به ماژول انتقال اتوماتیک ویفر؛ کنترل جریان CLC |
|
شاخص یکنواختی |
- |
- |
WIW&WTW < 5% |
|
کنترل فرآیند پیشرفته |
کنترل نقطه پایانی گشتاور جریان گردابی/لیزر/موتور. کنترل پویا PTPC؛ سیستم اندازه گیری یکپارچه PPC |
کنترل نقطه پایانی گشتاور جریان گردابی/لیزر/موتور. کنترل پویا PTPC؛ سیستم اندازه گیری یکپارچه PPC |
من{0}}کنترل نقطه پایانی گشتاور را اسکن/لیزر/موتور می کنم. کنترل جریان CLC |
|
توابع کلیدی |
از مسطح سازی پلیمرهای بسته بندی پیشرفته پشتیبانی می کند |
سازگار با مواد نیمه هادی نسل سوم مانند SiC و GaN. سازگار با انواع پدهای پولیش و دوغاب |
توزیع دوغاب چند کاناله دقیق؛ پایش دمای صفحه-در زمان واقعی؛ انتقال و چرخش ویفر اتوماتیک |
|
پوشش فرآیند پردازش |
فرآیندهای کامل مانند اکسید، مس، W، STI و پلی سیلیکون |
اکسید، مس، W، STI و پلی سیلیکون؛ فرآیندهای ویژه برای-نسل سوم مواد نیمه هادی |
اکسید، مس، W; فرآیندهای مشخصه برای بسته بندی پیشرفته/نیمه هادی های نسل سوم- |
سوالات متداول
س: سه مدل CMP از چه اندازه های ویفر پشتیبانی می کنند؟
پاسخ: HP 200 فقط برای ویفرهای 8 اینچی (200 میلی متر) است. HP 300/HP 400 با ویفرهای 6/8 اینچی (150/200 میلی متر) سازگار است.
س: زمینه های اصلی برنامه چیست؟
A: تولید مدار مجتمع، پردازش نیمه هادی نسل سوم (SiC/GaN) و فرآیندهای بسته بندی پیشرفته.
س: قابلیت کنترل فرآیند کلیدی سری چیست؟
پاسخ: همه مدل ها دارای کنترل نقطه پایانی سه گانه جریان گردابی/لیزر/گشتاور موتور، با دقت پولیش در مقیاس نانو از طریق سیستم های PTPC/PPC هستند.
س: مزایای برجسته هر مدل چیست؟
A: HP 200: صفحه 4 سر+3-کلاسیک برای تولید انبوه 8 اینچی.
HP 300: طراحی فشرده با کنترل دمای صفحه (<60℃);
HP 400: WIW&WTW<5% with high automation (auto wafer transfer/flip).
س: آیا این سری می تواند جایگزین تجهیزات CMP وارداتی شود؟
پاسخ: بله، به سازگاری کامل{0}}زنجیره‌ای بومی‌سازی می‌شود و تجهیزات CMP 8{2}}اینچی وارداتی را با عملکرد و بازدهی پیشرو در صنعت به طور کامل جایگزین می‌کند.
تگ های محبوب: تجهیزات CMP 8 اینچی، تولید کنندگان تجهیزات CMP 8 اینچی چین، تامین کنندگان
